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    如何根據(jù)組件IV曲線判斷組件問(wèn)題？IV曲線測(cè)試的目的：測(cè)量串開(kāi)路電壓（Voc）和短路電流（Isc）以及極性，Z大功率點(diǎn)電壓（Vmpp）、電流（Impp）和峰值功率（Pmax）的測(cè)量，光伏組件/組串填充系數(shù)FF的測(cè)量，識(shí)別光伏組件/陣列缺陷或遮光等問(wèn)題，積塵損失、溫升損失，功率衰減、串并聯(lián)適配損失計(jì)算等。
    IV曲線的基礎(chǔ)概念：Voc開(kāi)路電壓；Isc短路電流；Vmpp Z大功率點(diǎn)電壓；Impp Z大功率點(diǎn)電流；Pmax峰值功率。
    IV曲線的基礎(chǔ)概念：填充因子FF是太陽(yáng)能電池品質(zhì)的量度，定義為實(shí)際的Z大輸出功率除以理想目標(biāo)的輸出功率(Isc?Voc)，F(xiàn)F越大，太陽(yáng)能電池的質(zhì)量越高。FF的典型值通常處于60~85%，并由太陽(yáng)能電池的材料和器件結(jié)構(gòu)決定。
    影響IV曲線的因素：輻照度越大，短路電流越大，輻照度對(duì)于開(kāi)路電壓影響不大；
    影響IV曲線的因素：溫度越高，開(kāi)路電壓越小，溫度對(duì)短路電流影響不大；
    影響IV曲線的因素：溫度一定的情況下，輻照度越高，組件輸出功率越大；
    組件的IV曲線分析：STC狀態(tài)下的組件電參數(shù)；
    組件的IV曲線分析：IV曲線測(cè)試儀測(cè)試的數(shù)值轉(zhuǎn)換到STC條件下的值和廠家出廠的datasheet值進(jìn)行對(duì)比才有意義
    IV曲線測(cè)試步驟：確保待測(cè)組串和逆變器斷開(kāi)
    被測(cè)試組串應(yīng)該隔離并連接到I-V曲線測(cè)試設(shè)備光伏組件測(cè)試儀。
    根據(jù)被測(cè)試組件的特性、類型和數(shù)量對(duì)測(cè)試儀器進(jìn)行設(shè)置。
    與I-V曲線測(cè)試儀相關(guān)的輻照度計(jì)應(yīng)安裝成與陣列平面匹配，并對(duì)其進(jìn)行檢查以確保其不受任何局部遮光或反射光的影響。在使用參考電池裝置的情況下，應(yīng)對(duì)其進(jìn)行檢查，以確保其與被測(cè)陣列具有相同的電池技術(shù)，或者針對(duì)技術(shù)上的差異進(jìn)行適當(dāng)?shù)男拚?br/>    IV曲線測(cè)試步驟：
    I-V曲線測(cè)試儀使用電池溫度探頭時(shí)，它應(yīng)與組件后部緊密接觸，
    并且在朝向模塊中心的電池中心，同時(shí)檢查并且串Voc值在期望的范圍內(nèi)。
    在輻照度達(dá)到儀器要求值并穩(wěn)定時(shí)開(kāi)始測(cè)試
    IV曲線測(cè)試接線注意事項(xiàng)：參考組件和待測(cè)組件保持水平，背板溫度傳感器放置待測(cè)組件中心位置，輻照度不穩(wěn)定時(shí)或過(guò)低時(shí)會(huì)影響STC換算。
    IV曲線評(píng)估：1、階梯或凹陷；2、低電流；3、低電壓；4、圓膝；5、豎直腿淺坡；6、水平腿陡坡。
    IV曲線評(píng)估-階梯或凹陷：I-V曲線中的階梯或凹陷表示被測(cè)試的陣列或組件的不同區(qū)域之間的不匹配情況，可能會(huì)有如下情況引起：
    陣列或組件局部遮擋；陣列或組件局部污漬或以其他方式遮蔽（比如雪等）；PV電池片/組件損壞；旁路二極管短路。
    注意：即使組件中只有一個(gè)單元被部分遮蔽也可能會(huì)導(dǎo)致相關(guān)的旁路二極管導(dǎo)通，并在曲線中產(chǎn)生一個(gè)凹陷。
    IV曲線評(píng)估-低電流：許多因素可以導(dǎo)致預(yù)期電流和測(cè)量電流之間的變化，這些總結(jié)如下
    陣列原因：均勻污染，條紋遮擋（縱向組件），污垢壩（縱向組件），光伏組件劣化。
    建模原因：PV組件數(shù)據(jù)輸入錯(cuò)誤，錯(cuò)誤地輸入多個(gè)并聯(lián)串。
    IV曲線評(píng)估-低電流：測(cè)量原因：輻照傳感器校準(zhǔn)或測(cè)量問(wèn)題，輻射傳感器未安裝在陣列的平面中，I-V曲線測(cè)量時(shí)輻照度改變，反射效應(yīng)導(dǎo)致輻照傳感器記錄偏高的輻照度，輻照太低或太陽(yáng)太接近地平線。
    IV曲線評(píng)估-低電壓:電壓變化的潛在原因包括以下
    陣列原因：旁路二極管導(dǎo)通或短路；光伏串的組件數(shù)量錯(cuò)誤；電勢(shì)誘導(dǎo)衰減（PID）；對(duì)整個(gè)電池片/組件/組串有明顯的、均勻的遮擋。
    建模原因：錯(cuò)誤地輸入PV組件數(shù)據(jù)；錯(cuò)誤輸入串中的組件數(shù)目。
    測(cè)量原因：PV電池溫度與測(cè)量值不同。
    IV曲線評(píng)估-圓膝:I-V曲線的膝蓋的倒圓可能是老化過(guò)程的表現(xiàn)。在得出結(jié)論之前，檢查I-V曲線的水平和垂直腿的斜率。如果它們已經(jīng)改變，則會(huì)在膝蓋的形狀中產(chǎn)生視覺(jué)上類似的效果。
    IV曲線評(píng)估-豎直腿中的淺坡:Z大功率點(diǎn)（Vmpp）和Voc之間的I-V曲線的后一部分的斜率受到對(duì)被測(cè)電路的串聯(lián)電阻的影響。增加的電阻將減小曲線的該部分中的斜率的陡度。
    串聯(lián)電阻增加的潛在原因包括：光伏配線損壞或故障（或電纜尺寸不足）,組件或陣列互連處故障（連接不良）,組件自身串聯(lián)電阻增加（電池片連接導(dǎo)致高阻或接線盒老化腐蝕）
    當(dāng)使用長(zhǎng)電纜測(cè)試陣列時(shí)，這些電纜的電阻將影響曲線形狀，并可能對(duì)曲線產(chǎn)生影響，建議使用四線法測(cè)量。
    IV曲線評(píng)估-水平腿的陡坡：I-V曲線上部的斜率變化可能是由于：PV電池中的分流路徑；組件Isc不匹配；錐形陰影或污垢（例如污垢壩）。
    如何利用IV曲線測(cè)試儀快速定位問(wèn)題組件：測(cè)量組串發(fā)現(xiàn)曲線有臺(tái)階；依次遮擋單個(gè)組件，短路電流會(huì)下降，但曲線臺(tái)階基本不變；當(dāng)遮擋到某個(gè)組件發(fā)現(xiàn)曲線正常時(shí)，可判斷此組件有問(wèn)題。